产品规格:进口
产品单位:台
参数 |
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分辨率 |
高达 0.6nm(STEM 模式) |
探针电流 |
高达 300nA |
加速电压 |
20V 至 30 kV |
探测模式(可选) |
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In-lens(SE) |
正光轴 in-lens 二次电子探测 |
In-lens(EsB) |
用于材料衬度成像的正光轴in-lens 能量选择背散射探测;in-lens SE 和 EsB 并行成像 |
角度选择背散射探测器(AsB) |
用于晶体表面的结构分析。 |
3DSM |
用于实时三维表面形貌成像。 |
STEM |
低电压优化明场、4 象限暗场和大角度暗场透射成像。 |
选件(可选) |
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ATLAS 大面积成像 |
用于大尺寸样品区域拼接。 |
原子力显微镜(AFM)技术 |
扩展扫描电镜性能,使其具有解析单原子层和检测表面磁性或局部导电率的能力。 |
局部电荷中和 |
可以实现非导电样品成像。 |
3View |
原位超薄切片机可实现大体积软组织三维重构。 |