手机：13524742860
座机：021-36400739
邮箱：yangmin777@163.com
美国FEI聚焦离子束 (FIB) 显微镜
产品名称：美国FEI聚焦离子束 (FIB) 显微镜
产品规格：Vion Plasma/V400ACE/OptiFIB
产品单位：台
产品详情
一、美国FEI聚焦离子束 (FIB) 显微镜Vion Plasma聚焦离子束
FEI Vion™ Plasma 聚焦离子束系统 (PFIB) 能使您的实验室实力大增，因为只需这一台使用简便的设备便可获得一流的光刻和成像性能。采用等离子源技术的 Vion PFIB 拥有比传统镓 FIB 仪器更高的吞吐量，具体来说，位置特异性切片分析、大面积光刻和样本制备的速度提高了 20 倍以上。Vion PFIB 在低离子束电流下也能实现J好的光刻精Q度和高分辨率成像，能够快速、准确地生成高对比度图像，这对众多工艺控制、失效分析或材料研究应用至关重要。
Vion PFIB 的材料科学应用
Vion PFIB 特别适合用于金属、复合物和涂层，并支持众多材料表征、失效分析和样本制备应用。
*快速制作位置特异性切片，同时直接对样本成像以实现实时监控目的
*提高铣削速度，无需为大面积及重复性铣削项目以及钢等低溅射速率材料而牺牲质量
*开展动态压缩或拉伸测试时，迅速对结构和表面执行位置特异性显微加工。
*开展电子背散射衍射分析时，制备高质量的位置特异性表面；制备适用于 SEM 和 TEM 等其他成像和表征技术的标本
*获得亚 30 nm 图像分辨率，以便快速识别与测量薄层及结构
产品型号
Vion 等离子聚焦离子束材料科学应用
Vion PFIB 的电子工业应用
高吞吐量三维封装分析
Vion 等离子 FIB 是一款能够进行高精度高速切削和铣削的仪器。它能够有选择地对兴趣区域进行铣削。此外，这款 PFIB 还能有选择地沉积构成图案的导体和绝缘体。
通过将高速光刻与精准控制相结合，系统可以多种方式用于 IC 生产，例如：
*隆起物、丝焊、TSV 和晶片堆叠失效分析
*精Q移除封装和材料，以便开展失效分析以及隔离掩埋的芯片上的故障
*在封装级别开展工艺监控和开发
*对封装的零件和 MEMS 器件开展缺陷分析
二、美国FEI聚焦离子束 (FIB) 显微镜V400ACE 聚焦离子束
V400ACE™ 聚焦离子束 (FIB) 系统融合了离子柱设计、气体输送和终点检测方面的研究成果，可快速、有效、经济高效地修改高 J集成电路。
通过电路修改，产品设计人员可在几小时内重新设定传导通路的路线并测试修改后的电路，而不用花几周或几个月的时间制成新掩膜并处理新晶圆。由于减少了修改和测试环节，所需时间也更短，制造商能借此迅速提高新工艺，更快提高产量并实现盈利，还能率先将新产品投放到市场并取得溢价。
V400ACE 的电子工业应用
V400ACE 专为解决高J设计与工艺面临的挑战而设计：几何尺寸更小、电路密度更高、采用了特殊材料和复杂的互连结构。使用选配的 IR 显微镜和块状硅刻蚀工具包配置 V400ACE 时，它还能具备背面编辑功能。
快速、准确的电路修改功能能够在数小时内对设计进行更改且无需加工新的硅片
NanoChemix 供气系统提高了材料移除和沉积时的速度、灵活性、均匀性和质量
Tomahawk 离子柱能将更多电流集中于更小的一点，实现更快、更精Q的铣削
SE 同步绘图和标本电流提高了终点检测功能
快速、准确的切片分析可揭示缺陷和表面下的特征
一流的薄样本制备和三维表征与分析能力
产品型号
V400ACE 聚焦离子束的半导体应用
三、美国FEI聚焦离子束 (FIB) 显微镜OptiFIB
精度和通量都处于业内领先水平的电路修改系统
OptiFIB 电路修改系统使用聚焦离子束 (FIB) 技术和高级化学修改单独的电路元件。这些修改的目的是，在光掩模组上实施昂贵且耗时的修改工作之前验证设计更改。我们的电路修改系统拥有获得专 利的共轴镜筒，精度和通量都处于业内领先水平，而且还提供极为广泛的可用 FIB 化学品。
OptiFIB 的半导体应用
产品型号
OptiFIB Taipan 的半导体应用
10 nm 及更精细级别的电路修改系统
电路修改技术在 IC 生产过程中的各个时间点上均可快速建立小型设计校正的原型：第一次硅调试后；在良率改进期间增强性能；为 Beta 开发人员制作少量正常运行的芯片；解决可靠性问题。电路修改工程师对芯片进行铣削，找到可疑的缺陷位置，然后在精确的几何结构中取下或放置导体或绝缘体，让 IC 制造商无需重新设计掩模和处理额外的晶圆，即可验证设计更改。
为满足 10 nm 节点严苛的电路修改要求，我们设计了 OptiFIB Taipan 系统，以解决高级设计和工艺所面临的挑战。新的共轴离子-光子镜筒、电子器件、样品仓和载物台可提供高度可控的射束轮廓和电流、实现准确的导航和离子束定位以及可靠的终点检测。新的化学品输送系统提供行业L先的蚀刻和沉积化学品。
功能
成像和铣削分辨率达到 10 nm 节点的规格
出色的导航和离子束定位精度可确保在 10 nm 节点上达到很高的修改成功率
对导体和绝缘体进行卓Y的蚀刻选择性和沉积控制
FEI Vion™ Plasma 聚焦离子束系统 (PFIB) 能使您的实验室实力大增，因为只需这一台使用简便的设备便可获得一流的光刻和成像性能。采用等离子源技术的 Vion PFIB 拥有比传统镓 FIB 仪器更高的吞吐量，具体来说，位置特异性切片分析、大面积光刻和样本制备的速度提高了 20 倍以上。Vion PFIB 在低离子束电流下也能实现J好的光刻精Q度和高分辨率成像，能够快速、准确地生成高对比度图像，这对众多工艺控制、失效分析或材料研究应用至关重要。
Vion PFIB 的材料科学应用
Vion PFIB 特别适合用于金属、复合物和涂层，并支持众多材料表征、失效分析和样本制备应用。
*快速制作位置特异性切片，同时直接对样本成像以实现实时监控目的
*提高铣削速度，无需为大面积及重复性铣削项目以及钢等低溅射速率材料而牺牲质量
*开展动态压缩或拉伸测试时，迅速对结构和表面执行位置特异性显微加工。
*开展电子背散射衍射分析时，制备高质量的位置特异性表面；制备适用于 SEM 和 TEM 等其他成像和表征技术的标本
*获得亚 30 nm 图像分辨率，以便快速识别与测量薄层及结构
产品型号
Vion 等离子聚焦离子束材料科学应用
Vion PFIB 的电子工业应用
高吞吐量三维封装分析
Vion 等离子 FIB 是一款能够进行高精度高速切削和铣削的仪器。它能够有选择地对兴趣区域进行铣削。此外，这款 PFIB 还能有选择地沉积构成图案的导体和绝缘体。
通过将高速光刻与精准控制相结合，系统可以多种方式用于 IC 生产，例如：
*隆起物、丝焊、TSV 和晶片堆叠失效分析
*精Q移除封装和材料，以便开展失效分析以及隔离掩埋的芯片上的故障
*在封装级别开展工艺监控和开发
*对封装的零件和 MEMS 器件开展缺陷分析
V400ACE™ 聚焦离子束 (FIB) 系统融合了离子柱设计、气体输送和终点检测方面的研究成果，可快速、有效、经济高效地修改高 J集成电路。
通过电路修改，产品设计人员可在几小时内重新设定传导通路的路线并测试修改后的电路，而不用花几周或几个月的时间制成新掩膜并处理新晶圆。由于减少了修改和测试环节，所需时间也更短，制造商能借此迅速提高新工艺，更快提高产量并实现盈利，还能率先将新产品投放到市场并取得溢价。
V400ACE 的电子工业应用
V400ACE 专为解决高J设计与工艺面临的挑战而设计：几何尺寸更小、电路密度更高、采用了特殊材料和复杂的互连结构。使用选配的 IR 显微镜和块状硅刻蚀工具包配置 V400ACE 时，它还能具备背面编辑功能。
快速、准确的电路修改功能能够在数小时内对设计进行更改且无需加工新的硅片
NanoChemix 供气系统提高了材料移除和沉积时的速度、灵活性、均匀性和质量
Tomahawk 离子柱能将更多电流集中于更小的一点，实现更快、更精Q的铣削
SE 同步绘图和标本电流提高了终点检测功能
快速、准确的切片分析可揭示缺陷和表面下的特征
一流的薄样本制备和三维表征与分析能力
产品型号
V400ACE 聚焦离子束的半导体应用
三、美国FEI聚焦离子束 (FIB) 显微镜OptiFIB
精度和通量都处于业内领先水平的电路修改系统
OptiFIB 电路修改系统使用聚焦离子束 (FIB) 技术和高级化学修改单独的电路元件。这些修改的目的是，在光掩模组上实施昂贵且耗时的修改工作之前验证设计更改。我们的电路修改系统拥有获得专 利的共轴镜筒，精度和通量都处于业内领先水平，而且还提供极为广泛的可用 FIB 化学品。
OptiFIB 的半导体应用
产品型号
OptiFIB Taipan 的半导体应用
10 nm 及更精细级别的电路修改系统
电路修改技术在 IC 生产过程中的各个时间点上均可快速建立小型设计校正的原型：第一次硅调试后；在良率改进期间增强性能；为 Beta 开发人员制作少量正常运行的芯片；解决可靠性问题。电路修改工程师对芯片进行铣削，找到可疑的缺陷位置，然后在精确的几何结构中取下或放置导体或绝缘体，让 IC 制造商无需重新设计掩模和处理额外的晶圆，即可验证设计更改。
为满足 10 nm 节点严苛的电路修改要求，我们设计了 OptiFIB Taipan 系统，以解决高级设计和工艺所面临的挑战。新的共轴离子-光子镜筒、电子器件、样品仓和载物台可提供高度可控的射束轮廓和电流、实现准确的导航和离子束定位以及可靠的终点检测。新的化学品输送系统提供行业L先的蚀刻和沉积化学品。
功能
成像和铣削分辨率达到 10 nm 节点的规格
出色的导航和离子束定位精度可确保在 10 nm 节点上达到很高的修改成功率
对导体和绝缘体进行卓Y的蚀刻选择性和沉积控制