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美国FEI聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM)
产品名称：美国FEI聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM)
产品规格：Helios NanoLab/Scios/ExSolve
产品单位：台
产品详情
上海铸金分析仪器有限公司专业供应多种显微镜。美国FEI公司是世界一流的电子显微镜品牌，FEI DualBeam 聚焦离子束扫描电子显微镜系统 (FIB-SEM) 为样品制备、三维表征、纳米原型设计和工业失效分析提供高性能。
一、FEI DualBeam显微镜_美国FEI聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM)_Helios NanoLab DualBeam
借助亚纳米 SEM 成像技术、S/TEM 超薄样本制备能力以及精确的原型设计功能，科学家能够将 Helios NanoLab 当作理想的研究伴侣，为未来的科技进步开发的新材料和纳米量级器件。
Helios NanoLab美国FEI聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) 的材料科学应用
在材料科学领域，研究人员面临的挑战是持续改善目前制造的材料和设备的质量。为了实现技术进步，在纳米量级了解结构和成分细节至关重要。FEI DualBeam Helios NanoLab设计用来以低至亚纳米量级的分辨率提供多尺度、多维度洞察，让研究人员能够观测样本微小的细节。Helios NanoLab 还可为原子分辨率 S/TEM 成像迅速制备高质量的样本。此外，如果研究工作包括开发 MEMS 或 NEMS 器件，也可配备 Helios NanoLab 打造全功能原型。
产品型号
Helios G4 UC for Materials Science
Helios G4 PFIB UXe DualBeam for Materials Science
Helios G4 PFIB CXe DualBeam for Materials Science
Helios G4 FX 材料科学应用
Helios G4 UX 材料科学应用
Helios G4 CX 材料科学应用
Helios NanoLab 的电子工业应用
Helios NanoLab 是一款极其灵活的平台，既能以很高的效率制备 TEM 样本，又能开展高性能低电压成像以分析高级逻辑和存储器件。Helios Nanolab 具有大型和小型样本室两个配置，效率极高，并且是面向实验室和近生产环境的低每样本成本半导体分析工作流的关键组成部分。
产品型号
Helios G4 PFIB UXe DualBeam for Semiconductors
Helios G4 PFIB HXe DualBeam for Semiconductors
Helios G4 PFIB CXe DualBeam for Semiconductors
Helios G4 HX 的半导体应用
专为解决各种高级半导体失效分析实验室面临的挑战而设计
Helios G4 HX 取代获得极大成功的 Helios 460HP，成为业内通量较高的专用透射电子显微镜 (TEM) 片层样品制备平台。Helios G4 HX 利用获得专利的反面 TEM 样品制备方法为先进的半导体节点制作高质量的片层样品。它集成了 FEI 的 EasyLift EX Nanomanipulator、新的自动化 QuickFlip 梭和 iFast 自动化软件平台，通过完全集成的自动化解决方案为失效分析实验室提供无可匹敌的价值。低损耗透境内探测器实现的更高材料对比度，连同低电压下的极高分辨率 SEM 成像，可以确保准确进行终点测量，从而在 TEM 样品的减薄期间提高成品率。
先进的 DualBeam 平台，用于半导体失效分析、工艺开发和过程控制实验室的成像、分析以及 TEM 样品制备。
Helios G4 HX 集高分辨率及高对比度 Elstar+UC SEM 与先进的 Phoenix FIB 于一身，旨在提供一流的成像和铣削性能。Helios G4 HX 专为高通量、高质量、超薄 TEM 薄片样品样品制备而设计，而且随附 FEI EasyLift EX Nanomanipulator 及新的自动化 QuickFlip 梭，可以实现准确、可重复的原位样品提取和操作。结合使用 FEI iFast Starter Recipes 自动制备 TEM 样品时，即使新手操作员也能够自信地重复性制作高质量的超片层样品。
Helios G4 HX 专为解决各种高级半导体失效分析实验室面临的挑战而设计。FEI Cell Navigator 可使用自动化样品导航准确定位各种重复结构中的缺陷。这可以使查找目标兴趣区域的成功率提高 5% 以上。此外，获得专利的反面 TEM 样品制备方法基于 FEI EasyLift EX Nanomanipulator、全新的自动化 QuickFlip 梭和自动化软件平台 iFAST，可以提供较高的通量。
切片成像
采用 UC 单色仪技术的 Elstar 电子柱为系统前所未有的高分辨率成像能力奠定了基础。这样一来，在最佳工作距离和双射束重合位置分别将会带来丝毫不受影响的 0.6 nm 和 0.8 nm SEM 分辨率。高分辨率、低损害电子束成像对于大块样品内的缺陷或结构问题检测以及超薄 TEM 薄片样品上的终点测量至关重要。此外，以极低的着陆能量操作也非常重要，这有利于最大限度减少敏感材料（例如低介电质或光刻胶）上射束诱发的损伤。
Helios G4 FX 的半导体应用
以更短的数据产生时间开发 7 nm 器件
Helios G4 FX 是 FEI 先进的失效分析 DualBeam 平台，能够为 7nm 工艺开发与改进制作高质量的超薄 TEM 薄片样品。Helios G4 FX 包含新的高性能 Phoenix 聚焦离子束 (FIB) 镜筒，让 DualBeam 操作员可以快速高效地制作损伤少并且切口保真度高的超薄片样品。Helios G4 FX 结合了高分辨率的 Elstar+UC 扫描电子显微镜 (SEM) 镜筒与 FEI EasyLift Nanomanipulator，令终点测量和 原位 样品提取变得前所未有的简单。FEI 的 MultiChem 气体输送系统提供优化的射束辅助沉积和蚀刻功能。除了简化高级失效分析和 TEM 样品制备的过程外，EasyLift 和 MultiChem 还可以提高操作员的信心和一致性，从而降低整个系统的拥有成本。Helios G4 FX 还是第一个包含亚 3Å 分辨率 STEM 成像的 Dualbeam 系统，大大缩短了先进探索实验室取得高质量数据的周转时间。在 DualBeam 内快速产生高质量、可操作的 30 kV STEM 图像可以为您的 FA 实验室和工艺开发人员带来明显的优势。
先进的 DualBeam 平台，用于半导体探索和工艺开发实验室内的成像、分析以及 TEM 样品制备。
FEI Helios G4 FX 集高分辨率 Elstar+UC SEM 与先进的 Phoenix FIB 于一身，旨在提供一流的成像和铣削性能。在这一经过现场验证的第四代 Helios 平台的基础之上，增添了先进的原位提取和样品处理组件、新的多气体输送系统、大幅提高的 3Å 分辨率、低电压 STEM 探测器，以及可自定义的配方，从而造就了当今功能强大、灵活的失效分析仪器。
切片成像
采用 UC 单色仪技术的新 Elstar 电子柱为系统前所未有的高分辨率成像能力奠定了基础。这样一来，在*佳工作距离和双射束重合位置分别将会带来丝毫不受影响的 0.6 nm 和 0.8 nm SEM 分辨率。高分辨率、低损害电子束成像对于大块样品内的缺陷或结构问题检测以及超薄 TEM 薄片样品上的终点测量至关重要。此外，以极低的着陆能量操作也非常重要，这有利于大限度减少敏感材料（例如低介电质或光刻胶）上射束诱发的损伤。
缩短数据产生时间
Helios G4 FX 配有全新的 Compustage 以夹持 TEM 载网，配有 G4 STEM 探测器以支持反面薄片样品制备，采用关键的工作流程为 STEM 或 TEM 制作高质量的超薄样品，还提供新功能来缩短有用数据产生时间。专用的 Compustage 和双倾斜 STEM 杆夹持器提供五个旋转轴，便于 SEM 在薄片样品两面进行终点测量，并让操作员能够轻松制作反面或正面样品。随着薄片样品厚度不断变小，单独 S/TEM 系统（通常在 80 或 120 kV 以上的电压下运行）的较高能量电子只与样品中的极少材料相互作用。越来越薄的薄片样品需要越来越低的电子束加速电压，以便让电子更多地与样品中的不同材料相互作用，这是极大提高材料对比度和描绘界面的必要步骤。事实证明，对比 DualBeam 系统中以前的 STEM 探测器，全新的 G4 STEM 探测器与 30 kV 电子束相结合，对原子质量相似的材料具有更高的灵敏度。它能够在 DualBeam 中通过低电压 STEM 图像完成失效分析工作，无需将成品样品暴露在环境空气之中，从而缩短数据产生时间，并减少对独立 S/TEM 系统的需求。
更高的通量
支持探索或 14 nm 以下工艺开发的半导体失效分析实验室需要制作高质量的位置特异性 TEM 薄片样品，这一要求带来了独特的挑战和机会。这些样品必须超薄，片层厚度通常需等于或小于设计节点，以便从结果分析中去除相邻结构。此外，样品还必须尽可能接近于“无伪影”，以在 S/TEM 或 TEM 中正确诊断和计量。最后，为了支持任何新产品的快速开发和工艺改进，TEM 薄片样品制作过程必须更快、更一致。因此，*新技术和自动化需要提高超薄 TEM 样品制作的速度，并降低制作难度。
Helios G4 FX 能够在完全正确的位置制作 10 nm 以下的 TEM 薄片样品，大限度减少制备过程中的伪影，并提供比以往产品高得多的通量。在 MD 和 ICD BSE 探测器的支持下，高分辨率和高对比度的图像让操作员能够准确且更加快速地确定薄片样品每一面的正确终点。根据特定的样品类型，可以在 75 分钟内制作出高质量的超薄片样品，为 S/TEM 成像做好准备。
通过改用获得专利的反面样品制备流程，Helios G4 FX 能够制作比自上而下的传统方法更宽（上至 5-10 um 宽）、更薄（下至 7 nm 或更薄）的样品。在使用集成的 FEI EasyLift Nanomanipulator 提取样品后，Helios G4 FX 可利用全新的 Compustage 双倾斜夹持器快速反转样品。
使用 DualBeam 中分辨率高、功能强大的 FIB (Phoenix FIB)，可将样品损伤降到很小。结合 Phoenix 的小尺寸光斑和高度灵敏的 ICE 探测器（二次电子/二次离子探测器），操作员能够使用镓束轻松执行低电压*终清洁。这消除了由于较高电压 FIB 光刻而导致的晶体损失，从而为 TEM 制作出高质量、几乎“无伪影”的样品。
特定于客户的方法以 FEI 创建、经预先测试的方法为基础，可确保在多个操作员之间实现一致的 TEM 薄片样品质量和通量。Helios G4 FX 将支持基于 FEI iFast™ 自动化软件的未来自动化日常预防性维护程序，以确保每天达到佳的系统性能。无论操作员技能水平如何，使用所有这些功能都能以一致方式跨多个工具制作超薄片样品。
Helios NanoLab 1200AT 的半导体应用
通过自动化技术支持 10 nm 节点的 TEM 样品
Helios NanoLab 1200AT 可以制作位置特异性透射电子显微镜 (TEM) 样品，其薄度足以在 10 nm 节点从直径高达 300 mm 的晶圆获取单个晶体管。使用可选自动 FOUP 装载装置 (AFL)，可以将系统放置在半导体晶圆制造厂内，这样，它便能够以最高三倍于实验室分析的速度提供关键信息。
可使用兼容制造厂的自动 FOUP 装载装置 (AFL) 选项
使用可选自动 FOUP 装载装置 (AFL)，可以将 Helios NanoLab 1200AT 系统放置在半导体晶圆制造厂内，这样，它可以用来提取目标结构和缺陷的超薄样品，以便使用高分辨率透射电子显微镜 (TEM) 进行检查。通过将 1200AT 转移到制造厂内部，并使之靠近晶圆生产线（近线），它*高能够以三倍于实验室分析的速度提供劈裂晶片的关键信息，从而加速新工艺的开发和大量生产的成品率爬坡。
iFast 半导体晶圆导航
半导体应用领域的导航得到显著增强，从而允许工作流以一种更自动、更强健、更常规的方式运行。缺陷导航被集成到了 iFast 框架之中，以便高效地处理通过缺陷文件导入的位点。晶圆图和位点平面图可以在 iFast 及每个通过自动配方处理的位点中进行构建。为了提高易用性，之前通过独立应用程序提供的单元导航功能现已集成到 iFast 中。FEI 的专有 Cell Navigator 软件可以像谚语中所说的那样自动在大海里捞针。此软件能够在 50 nm 横向场中导航至单个 SRAM 位。
MultiChem 气体输送系统
先进的 DualBeam 射束化学解决方案可提供更精确控制的沉积和蚀刻功能，并且可与自动化应用程序一起使用。MultiChem 是一种紧凑型 6 条注入管线气体输送系统，而且具有先进、集成的过程控制功能。每条注入管线上的各个加热和气体流量控制阀用来精确管理注入气体的数量。利用电动注入针和保存位置预设，用户可以准确定位注入针，以便在样品表面实现优化、可重复的气体输送。
EasyLift NanoManipulator
利用 EasyLift 的低漂移、高精度运动，可以简单、一致地制作传统 TEM 薄片样品或采用反面打薄技术制作超薄片层。EasyLift 与显微镜的 xT 软件相集成，旨在提供一种简单、直观的方法来提取 TEM 样品并转移到网格（全部在 DualBeam 腔室内完成）。高度准确而快速的电动旋转能力使得 EasyLift 非常适合用于高速反面或正面样品制备。功能包括简单的“点击并拖动”运动，这是由 EasyLift 与 Helios NanoLab 1200AT 用户界面的完全集成而实现的。
Helios NanoLab 的自然资源应用
地质学家和矿藏工程师可以使用 Helios NanoLab 技术对钻屑和微芯开展二维和三维岩石表征。它利用的 DualBeam 技术独具特色，博采 FIB（聚焦离子束）铣削和 SEM（扫描电子显微镜）分析之长。借助自动化序列样本铣削和成像功能，客户可以创建二维序列图像，进而开展三维容积重建。根据这些数据，客户可以在微米至纳米量级别观测和量化孔隙网络等纹理。
Helios NanoLab 的生命科学应用
要想在三维背景下了解生物事件，就必须采用专用的成像解决方案，而且这些成像解决方案应能以极高的分辨率呈现极小的细节，从而揭示出复杂网络的超微结构和空间结构。Helios NanoLab 具有卓越的 SEM 性能和可靠、精确的 FIB 切片能力，还配备了高精度压电工作台，堪称小型 DualBeam 平台的极致之选。出色的成像能力，辅以透镜内和柱内检测器提供的高对比度检测技术，能够实现真正优秀的对比度。
二、FEI DualBeam显微镜_美国FEI聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) _Scios DualBeam
高级检测技术是 FEI Scios 的核心技术。透镜内 FEI Trinity™ 检测技术能够同时收集所有信号，既节省了时间还能形成鲜明的对比度，从而有助于采集尽可能多的数据。新的透镜下同心后散射检测器能提高效率，使您可以根据信号的角分布选择信号，从而轻松分离材料和形态对比度，即使着陆能量为 20 eV 也是如此。
Scios 的材料科学应用
Scios DualBeam 特别适合用于金属、复合物和涂层等众多材料，能够：
执行高分辨率、高对比度成像，对磁性样本也不例外
使用独有的 Trinity 检测套件同步检测材料、形态和边缘对比度，从而分析材料的全部属性
借助漂移抑制光刻，无需制备样本即可制作具有位置特异性的切片，甚至可以对非导电材料进行操作
生成三维数据立方体确定金属中夹杂物的大小和分布，或对裂纹尖端各个方向的应力和应变进行分析
搭配 EasyLift™ 可快速可靠地制备高质量样本，而且只需最小的电子束能量即可获得高质量的 S/TEM 结果
针对 DealBeam TM 常见应用提供独有的“用户指南”和逐步工作流，使得任何经验水平的操作员都能即刻上手
产品型号
Scios 2 DualBeam for Materials Science
Scios 的生命科学应用
有效的生物成像需要使用能够支持众多不同应用且不会降低对比度和分辨率的多功能设备。FEI Scios 是一款特别易于使用且能力极其出众的仪器，能使您的众多不同应用和工作流更具灵活性，功能更强大，而且借助高效和增值工作流， Scios 能让您在短时间内获得准确的结果
三、FEI DualBeam显微镜_美国FEI聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM)_ExSolve Wafer TEM Prep
ExSolve wafer TEM prep (WTP) 能够大大降低样本制备成本并提高制备速度，让半导体和数据存储制造商能够快速轻松地获得所需数据，用以验证并监控流程性能。ExSolve 能够制备于特定位置的 TEM 片层，在 FAB 内以全自动流程在每个晶圆的多个位置取样，为半导体制造商提供比传统方法多得多的信息，同时，将样本制备的资本成本减少达 70%。
ExSolve WTP 的电子工业应用
ExSolve WTP 系统是自动高通量样本制备系统，能够在直径达 300 mm 的整个晶圆上制备于特定位置的 20 nm 厚片层。它是快速、完整工作流的一部分，工作流中还包括 TEMLink™ 和 Metrios™ TEM。ExSolve 包括 FOUP 处理，专门置于生产线旁的 FAB 中。
ExSolve WTP 工作流能够满足客户在先进技术节点上对于自动高通量取样的需要。它将 FEI Helios NanoLab™ DualBeam™ 1200AT 的功能加以完善，提供更加灵活、操作员主导的样本制备方法，还具备更多功能，例如高分辨率扫描电子显微镜 (SEM) 成像与分析。
产品型号
ExSolve WTP 的半导体应用